DMN3009SK3-13
Diodes Incorporated
Deutsch
Artikelnummer: | DMN3009SK3-13 |
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Hersteller / Marke: | Diodes Incorporated |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CHANNEL 30V 80A TO252 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.64 |
10+ | $0.548 |
100+ | $0.4095 |
500+ | $0.3217 |
1000+ | $0.2486 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-252, (D-Pak) |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 30A, 10V |
Verlustleistung (max) | 3.4W (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2000 pF @ 15 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 80A (Tc) |
Grundproduktnummer | DMN3009 |
DMN3009SK3-13 Einzelheiten PDF [English] | DMN3009SK3-13 PDF - EN.pdf |
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() DMN3009SK3-13Diodes Incorporated |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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